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  • 華潤(rùn)微電子有限公司

    作者: 時(shí)間:2023-11-13 點(diǎn)擊數(shù):

    核心技術(shù)

    技術(shù)創(chuàng)新一直是我們孜孜不倦的追求和努力,和您分享我們的成就是我們永遠(yuǎn)的熱情。

    公司一直致力于模擬/混合信號(hào)制程和功率器件/電路制程的開發(fā),如今已經(jīng)形成了自己獨(dú)特的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD,功率器件和MEMS 工藝平臺(tái)以及一系列客制化工藝平臺(tái)。公司在功率模擬工藝技術(shù)方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力,推出的0.8μm/1.0μm UHV BCD工藝解決方案為綠色電源和半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域的產(chǎn)品開發(fā)提供了更加有力的支持。

    我們是您永遠(yuǎn)值得信賴的伙伴!

    工藝路線圖

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    BCD

    公司為您提供大功率模擬器件工藝解決方案,基于自有的主流工藝平臺(tái)提供富有競(jìng)爭(zhēng)力的HV、CDMOS、BCDMOS工藝,滿足您對(duì)于高效率的電源轉(zhuǎn)換和高電壓應(yīng)用的需求。特有的客制化工藝平臺(tái)更大限度地為您定制您的工藝,助您獲得最大利潤(rùn)。公司的模擬工藝提供多重器件類型,廣泛應(yīng)用于各新興市場(chǎng),包括電源管理、LED驅(qū)動(dòng)、汽車電子以及音頻電路等。

    BCD 0.18μm            0.18μm AB BCD(7V-24V)
    0.18μm DB BCD G2S(7V-80V)
    0.18μm DB BCD G2S(80V-120V)
    0.18μm DB BCD G3(7V-40V)
    0.25μm            0.25μm s-BCD G2(12V-60V)
    0.8μm            0.8μm 700V BCD G3S
    0.8μm 40V Power Analog
    1.0μm            1.0μm 600V HVIC
    1.0μm 60V/120V HV
    1.0μm 25V/40V HV

     

    Standard Analog

    公司的主流模擬工藝已經(jīng)成功應(yīng)用于客戶的電源管理、電池充電、小尺寸LED背光產(chǎn)品,包括DC-DC轉(zhuǎn)換、線性調(diào)節(jié)器、音頻功率放大器、調(diào)諧和控制電路等。多年的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)證明,公司的特色工藝平臺(tái)和設(shè)計(jì)服務(wù)支持、工藝設(shè)計(jì)文件包和單元庫能夠以獨(dú)一無二的優(yōu)勢(shì)為客戶提供具有成本效益的主流模擬產(chǎn)品解決方案,同時(shí)我們專業(yè)的設(shè)計(jì)服務(wù)支持還能夠有效提高客戶產(chǎn)品的一次流片成功率,縮短客戶的設(shè)計(jì)周期和產(chǎn)品上市時(shí)間。

    Standard Analog 0.25μm            0.25μm 5V Salicide Analog
    0.35μm            0.35μm 3V/5V Mixed-Signal
    0.5μm/0.35μm            0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal
    0.5μm/0.35μm 7V LDO

     

    Mixed-Signal/RF

    公司的模擬信號(hào)和RF CMOS工藝與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯工藝完全匹配。基于邏輯工藝平臺(tái),我們提供0.18μm/0.16μm/0.153μm和0.13μm/0.11μm線寬的模擬信號(hào)和RF CMOS工藝。我們的模擬信號(hào)和RF CMOS工藝提供一些增進(jìn)芯片性能的選項(xiàng),如Deep N-well、Multiple operating voltages (Vt)、MIM capacitors、High poly resistors、(Ultra Thick Top Metal) Inductors、Varactor。通過使用公司提供的PDK、SPICE、Command files、RC extraction等設(shè)計(jì)工具,客戶可以獲得高性能,低成本的設(shè)計(jì)方案。

    Mixed-Signal/RF 0.11μm            0.11μm ULL
    0.11μm e-Flash
    0.153um            0.153μm CMOS EN (5V)
    0.18μm            0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
    0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G
    0.18μm CMOS EN(3.3V or 5V)
    0.18μm e-Flash

     

    校企合作辦公室      聯(lián)系電話:0510-83296722       地址:江蘇省無錫市惠山區(qū)錢藕路1號(hào) 郵編:214153         

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